飞兆半导体推出两款中压MOSFET
飞兆半导体推出两款中压MOSFET
飞兆半导体推出了两款中压MOSFET，分别是FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。
这两款中压MOSFET采用了极低RDS(ON)中压P沟道硅技术，优化得到较低的Qg，非常适合快速开关应用以及负载开关应用
与一般的中压MOSFET相比，FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。此外，其导通损耗减小了46%，开关损耗减小了38%。因此，设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。
