NAND Flash 中的SLC、MLC如何识别?
NAND Flash 中的SLC、MLC如何识别?
现在仍然有很多刚入行的工程师对快闪记忆体的SLC和MLC不知如何识别,只知道价格便宜是MLC，价格高的就是SLC，如何区分还是一知半解。我们就拿正在走下坡路的MP4作为案例，是买SLC还是MLC快闪记忆体好呢?在这里我先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器品质、资料的安全性、读和取速度、机器寿命等多方面要求较高时，那么SLC肯定是你的首选。但是大容量的SLC记忆体成本要比MLC记忆体成本高很多，所以针对2G以上的大容量市场，低价格的MP4多采用MLC记忆体。大容量、低价格的MLC记忆体自然是受大家的表睐。但它也有先天性的缺点，需要我们对其进行详细了解一番。
什么SLC?
SLC英文全称(Sigle Level Cell---- SLC)既单层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
SLC技术特点是在浮置栅极与源极之中的氧化薄腊更薄，在写入资料时通过对浮置栅极的电荷加电压，然后通过源极，既可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个资讯单元，这种技术能提供快速的程式编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由先进的工艺流程来强化技术，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC?
MLC英文全称(Multi Level Cell——MLC) 既多层式储存。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
英特尔在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的资讯存入一个Floating Gate(快闪记忆体存储单元中存放电荷的部分)，然后利用不同电位的电荷，通过记忆体储存的电压精准控制其读写。MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两单元资料，资料密度比较大。SLC架构有0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值。因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
SLC相对于MLC的优势：
目前市场上主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用旧的生产设备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的双重优势。
与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改造，MLC的读写性可得到进一步提升。
SLC相对于MLC的劣势：
MLC架构有很多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以存取10万次，而MLC架构只能存取1万次。
其次就是存取速度慢，在目前的技术条件下，MLC晶片理论速度只能达到2MB左右。SLC架构比MLC架构要快三倍以上。
最后，MLC功耗比SLC高，在相同情况下比SLC要多15左右的电流消耗。
我们从以上几个功能参数方面与SLC相比，很明显MLC处于劣势，不过由于MLC架构和成本都具有不可比拟的优势，在技术区分越来越不明显的今天。市场价格低永远是不二定议。所以工厂首选还是MLC的NAND FLASH。工艺上的快速发展也能满足未来2GB、4GB、8GB、16GB甚至更大容量的市场需求。
